收藏本站
NTB6411AN, NTP6411AN, NVB6411AN
8000
7000
6000
5000
4000
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
10
8
6
V DS
Q gs
Q gd
Q T
V GS
100
80
60
3000
4
40
2000
1000
0
C rss
0
C oss
10 20 30 40 50 60 70 80 90
100
2
0
0
V DS = 80 V
I D = 72 A
T J = 25 ° C
20 40 60 80
20
0
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
1000
100
V DS = 80 V
I D = 72 A
V GS = 10 V
t r
t f
t d(off)
80
70
60
50
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
40
10
t d(on)
30
20
10
1
1
10
100
0
0.4
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1.0
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
500
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
I D = 56 A
100
10
10 m s
100 m s
1 ms
400
300
1
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
10 ms
dc
200
100
0.1
1
PACKAGE LIMIT
10 100
1000
0
25
50 75 100 125 150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
http://onsemi.com
4
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTB6413ANG MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
NTB85N03T4G MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK
NTBV5605T4G MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
NTC-04-0002 GU 7000 SERIES POWER CABLE
NTCDS3SG104GC4NB THERMISTOR NTC GLASS 100KOHM AXL
NTCG104LH104HT1 THERMISTOR NTC 100K OHM 3% 0402
NTD110N02RT4 MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
NTD12N10T4 MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
相关代理商/技术参数
NTB6411ANT4G 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 75A 16MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB6412AN 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 58 A, 18.2 mΩ
NTB6412AN_12 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET
NTB6412ANG 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 58A 18MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB6412ANT4G 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 59A 20MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB6413AN 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 42 A, 28 mΩ
NTB6413AN_12 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 42 A, 28 m
NTB6413ANG 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 42A 28MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube